东芝推出新60V P沟道MOSFET

  盖世轿车讯 2月5日，东芝电子欧洲分公司（Toshiba Electronics Europe）宣告推出两款根据其U-MOS VI工艺的60V.P沟道MOSFET，将扩展合适轿车使用的设备规模，例如负载开关、半导体继电器和电机驱动器。

  新产品XPH8R316MC和XPH13016MC契合AEC-Q101（轿车可靠性规范）。作为该规范的一部分，这两款新产品均选用SOP Advance（WF）封装，即一种具有可潮湿旁边面端子结构的外表贴装款式。这有利于焊点的主动光学查看（AOI），关于恶劣轿车环境下的可靠性至关重要。此外，此种封装内的铜衔接能够更好的下降封装电阻、进步功率并削减热量积累。

  XPH8R316MC的额外接连漏极电流（ID）为-90A，XPH13016MC的额外ID为-60A。而脉冲漏极电流（IDP）是这些值的两倍，分别为-180A和-120A。这两款新产品的额外漏源电压（VDSS）均为-60V，还能够在高达175°C的通道温度（Tch）下作业。

  XPH8R316M的最大漏源导通电阻（RDS（ON））8.3mΩ，比东芝现有的TPCA8123低约25%。XPH13016MC的最大漏源导通电阻为12.9mΩ，比TPCA8125低约49%。RDS（ON）值的大幅度下降有助于显着下降轿车使用中的功耗。